全球领先中芯国际开创新赛道台积电、三星不愿看到的局面发生

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近期，中芯国际在BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）领域实现技术突破，完成BCD平台的初步建设，并且实现了55nm的技术，即将进行小规模试验生产的消息传出。这一消息一经传出，就引起了芯片行业当中许多人的广泛讨论。为何在三星、台积电实现3nm芯片生产的时候，中芯国际完成55nm的试产会引起如此广泛的关注。

领先全球，BCD或将成为主流赛道

很多人可能会将三星和台积电在3nm制程工艺技术突破和中芯国际55nm的BCD试产放在一起比较，认为中芯国际目前的技术相比较于三星和台积电而言还有很大的差距，然而事情并非如此。

我们平时所说的芯片主要是应用在智能手机当中的CMOS器件，CMOS器件主要是由设计数字电子来控制电路，而主要使用的材料则是互补金属氧化物，属于半导体领域。在一领域是当前半导体领域主要的研究目标和研究方向，在这这个领域的技术也最为成熟。

无法否认的是，CMOS器件对于当下的半导体市场极为重要。然而在半导体领域，不仅仅只有CMOS器件一种，本次中芯国际取得突破的BCD就是半导体领域的另外一重点。也正是因此，本次中芯国际突破55nm的BCD芯片，才会显得如此重要，可以说中芯国际在BCD方面的突破，很有可能开创半导体行业的新赛道。

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）和我们平时所说的CMOS器件有着很大的不同，不仅在主要应用领域方面有所不同，在技术工艺方面也相差很远。我们平时所说的CMOS器件主要是在智能手机等智能产品上面使用，而BCD主要是在工业制造和汽车应用领域使用，尤其是后者，对于BCD的需求量很高。在技术工艺方面，BCD可以称得上是集成电路的集大成者，不仅使用了CMOS器件，还使用到Bipolar以及DMOS器件，其中蕴含的技术十分先进，想要突破也很困难。

除了中芯国际之外，目前世界上其他半导体企业在BCD领域所掌握的技术仅仅只有90nm的工艺，只有意法半导体等少数几家半导体企业才掌握了相关技术。由此也可以看出来，本次中芯国际在55nm的BCD领域取得的技术突破意义重大。

传统芯片领域性能过程，BCD或是未来主流赛道

很多人可能会认为，BCD相比较于智能手机等智能产品上面所使用的CMOS器件而言，重要性和实用性远远不如，所以才会导致三星、台积电等半导体领域龙头企业在这方面的研发投入少，才会让中芯国际领先，然而事情并非如此。

当下，CMOS器件已经逐渐突破到3nm制程领域，而且三星和台积电都已经掌握了生产3nm芯片的能力，然而对于使用芯片的企业而言，3nm芯片的性能完全是过剩的，但是却价格极其昂贵，不具备性价比。

从某种意义上来说，三星和台积电在3nm制程的CMOS器件领域大力投入研发，完全是在争夺行业当中的技术领先，是为了保持和争夺当下的市场份额，而非市场真的需要3nm的芯片。早在几个月之前，台积电就取消了第一代3nm的芯片生产线，而对台积电3nm芯片十分上心的苹果也在考察之后放弃了3nm的订单。

近期国际市场上的芯片需求也在不断的发生改变，7nm以及以下的高端芯片市场需求量不断减少，这也导致了台积电宣布关闭4台EUV光刻机，降低7nm芯片的产能。

从CMOS器件的发展状况来看不难发现，传统芯片已经逐渐走到目前需求的顶端，导致性能过剩，继续投入研发所能够带来的收益是极小的。在一条赛道走到尽头的时候，自然会选择另外一条赛道走，而未来芯片半导体领域的主流赛道，很有可能就是BCD领域。

一方面，BCD作为集成电路技术的集大成者，集结了各种器件的核心技术和精华，在应用效果方面，极大程度的超越了传统的CMOS器件，并且应用范围更加广泛。另外一方面，BCD主要应用于汽车领域，因为新能源技术的不断发展，原本已经逐渐走到尽头的汽车领域开辟出了新的赛道，这也就导致了汽车领域对于BCD的需求量逐渐增加。

广泛布局，中芯国际看好中国市场

在布局BCD领域并且取得不小突破的同时，在传统的CMOS器件领域中芯国际也取得了不小的突破和进展。无论是在技术还是在产量方面，中芯国际都有所突破，发展势头十分迅猛。